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原厂资料

26 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SBR30A45CTB-GDiodes Incorporated
  • SBR30A45CTB-13
2025-07-23查看资料
UX31451001Diodes Incorporated
  • UX3A45101J
2025-06-16查看资料
SBR12A45SD1-T-01Diodes Incorporated
  • SBR12A45SD1-T
2023-05-15查看资料
SBR30E45CTDiodes Incorporated
  • SBR30A45CT
2023-05-15查看资料
SBR30E45CTBDiodes Incorporated
  • SBR30A45CTB-13
2023-05-15查看资料
SBR30E45CTB-13Diodes Incorporated
  • SBR30A45CTB-13
2023-05-15查看资料
SBR8A45SP5-13-2169Diodes Incorporated
  • SBR8A45SP5-13
2023-05-15查看资料
7142LA45CMRenesas
  • 7142LA35L48B
2022-02-28查看资料
SBR20A45CTB-13Diodes Incorporated
  • SBR20A45CTB-13-G
2021-05-24查看资料
SBR30A45CTBDiodes Incorporated
  • SBR30A45CTB-13
2021-05-24查看资料
SBR30A45CTFPDiodes Incorporated
  • SBR30A45CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR30A45CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR30A45CTFP
2021-05-24查看资料
KA4558onsemi
  • RC4558P
2019-11-04查看资料
KA4558DTFonsemi
  • RC4558DR
2019-11-04查看资料
ADA4505-1ACBZ-RLAnalog Devices
  • ADA4505-1ACBZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4505-1ARJZ-RLAnalog Devices
  • ADA4505-1ARJZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4505-2ACBZ-RLAnalog Devices
  • ADA4505-2ACBZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4505-4ACBZ-RLAnalog Devices
  • ADA4505-4ACBZ-R7
2018-02-23查看资料
CG7956AAInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
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CG7956AATInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
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CG8084AAInfineon
  • CY14V104LA-BA45XI
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CG9060AMInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
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CG9060AMTInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
查看资料
CY14B101LA-SZ45XIInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
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CY14B101LA-SZ45XITInfineon
  • CY14B101LA-BA45XI
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

73 个原型号
原型号

ADA4530-1ARZ-RL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • ADA4530-1ARZ-R7Analog Devices Inc.参数相近
原型号

BA4560

Rohm Semiconductor

查看详情 · 4 条候选
  • BA4560F-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

BA4560RFJ-GE2

Rohm Semiconductor

查看详情 · 30 条候选
  • BA4560YF-MGE2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

IDT6116LA45SOG8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 8 条候选
  • 6116LA20SOGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

ISL43111IBZ-T

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TS12A4515DTexas Instruments相似型号
原型号

ISL43112IH-T

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 8 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TS12A4516DBVRTexas Instruments相似型号
原型号

ISL43113IHZ-T

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TS12A4517DBVRTexas Instruments相似型号
原型号

ISL43L110IH-T

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 19 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • TS5A4594DCKRTexas Instruments相似型号
原型号

ISL55002IBZ-T7

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 17 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BA4560FJ-GE2Rohm Semiconductor相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

449 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A45

MACOM

RF Amplifier 1-4GHz NF 4.5dB Gain 17.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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A45-1

MACOM

RF Amplifier 1-4GHz NF 4.1dB Gain 17.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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15KPA45A

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 55 V、工作电压 45 V、钳位电压 72.8 V、峰值脉冲电流（Ipp） 207.4 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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15KPA45CA

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 55 V、工作电压 45 V、钳位电压 72.8 V、峰值脉冲电流（Ipp） 207.4 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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30KPA45A

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 50.3 V、工作电压 45 V、钳位电压 77.4 V、峰值脉冲电流（Ipp） 391.5 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
查看技术资料

30KPA45CA

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 50.3 V、工作电压 45 V、钳位电压 77.4 V、峰值脉冲电流（Ipp） 391.5 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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3837A45H01

Eaton Electrical

主要参数包括产品 Rectifiers。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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6116LA45DB

IDT

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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6116LA45TDB

IDT

主要参数包括高度 3.56 mm、长度 32.51 mm、宽度 7.62 mm、型号别名 6116 IDT6116LA45TDB，采用 CDIP-24 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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6116SA45DB

IDT

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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