OPA4314AQPWRQ1
Texas Instruments
- NCV20064DTBR2Gonsemi直接替代候选
16 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| LA431NHPA | Diodes Incorporated |
| 2022-08-31 | 查看资料 |
| LA431NYPA | Diodes Incorporated |
| 2022-08-31 | 查看资料 |
| LA431OHPA | Diodes Incorporated |
| 2022-08-31 | 查看资料 |
| LA432NHPA | Diodes Incorporated |
| 2022-08-31 | 查看资料 |
| LA4320AAAEA | Diodes Incorporated |
| 2022-03-30 | 查看资料 |
| LA4320AAAEB | Diodes Incorporated |
| 2022-03-30 | 查看资料 |
| KST43MTF | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| ADA4304-3ACPZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4304-4ACPZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4310-1ACPZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4311-1ARHZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4302-4ACP-REEL | Analog Devices |
| 2010-07-27 | 查看资料 |
| 1SMA43CAT3G | onsemi |
| 查看资料 | |
| OPA4342 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| OPA4345 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| OPA4347UA | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Texas Instruments
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NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MACOM
RF Amplifier 100-3200MHz NF 7.0dB Gain 11.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierLittelfuse
该型号为二极管,主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 52.6 V、工作电压 43 V、钳位电压 69.8 V、峰值脉冲电流(Ipp) 216.3 A,采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsLittelfuse
该型号为二极管,主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 48 V、工作电压 43 V、钳位电压 73 V、峰值脉冲电流(Ipp) 415.1 A,采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 54~865 MHz、类型 RF Splitters,采用 LFCSP-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作频率 54~865 MHz、类型 RF Splitters,采用 LFCSP-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75~5.25 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、工作频率 54~865 MHz、类型 RF Splitters,采用 LFCSP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75~5.25 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、工作频率 54~865 MHz、类型 RF Splitters,采用 LFCSP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 4.75~5.25 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、工作频率 54~865 MHz、类型 RF Splitters,采用 LFCSP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压(最大值) 5.25 V、电源电压(最小值) 4.75 V、工作频率 54~865 MHz、测试频率 865 MHz,采用 LFCSP-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierAnalog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 6 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 2.5 V,采用 LFCSP-16 封装。
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