A3T21H456W23SR6
NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110~2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流(Id) 1.6 A, 3.6 A,采用 ACP-1230S-4L2S 封装。
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NXP Semiconductors
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2110~2200 MHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 Dual N-Channel、连续漏极电流(Id) 1.6 A, 3.6 A,采用 ACP-1230S-4L2S 封装。
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