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搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
7132SA35C	Renesas	7132SA55L48B	2023-12-05	查看资料
KA3525A	onsemi	SG3525ADWR2G	2023-03-30	查看资料
7140LA35CB	Renesas	7140LA35L48B	2022-02-28	查看资料
7140SA35CB	Renesas	7140SA35L48B	2022-02-28	查看资料
7142LA35C	Renesas	7142LA35L48B	2022-02-28	查看资料
7142LA35CB	Renesas	7142LA35L48B	2022-02-28	查看资料
7142LA45CM	Renesas	7142LA35L48B	2022-02-28	查看资料
7142SA35C	Renesas	7142SA35L48B	2022-02-28	查看资料
7142SA35CB	Renesas	7142SA35L48B	2022-02-28	查看资料
KA358	onsemi	LM358DR2G	2019-11-04	查看资料
KA358A	onsemi	LM358ADR2G	2019-11-04	查看资料
KA358ADTF	onsemi	LM358ADR2G	2019-11-04	查看资料
KA358DTF	onsemi	LM358DR2G	2019-11-04	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

63 个原型号

原型号

S-1003CA35I-I6T1U

ABLIC Inc.

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S-1003CB35I-I6T1UABLIC Inc.参数相近

原型号

S-1111B35MC-NYUTFG

ABLIC Inc.

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

XC6504A351MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

S-1142D35H-E6T2U

ABLIC Inc.

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-1142A35H-E6T2UABLIC Inc.参数相近

原型号

S-1312A35-A4T2U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

S-1312B35-A4T1U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-1312C35-M5T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-1312A35-M5T1U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-13A1G35-E6T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-13A1A35-E6T1U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-13R1B35-M5T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-13R1A35-M5T1U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-13R1E35-A4T2U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-13R1A35-A4T2U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-13R1G35-M5T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-13R1A35-M5T1U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-19251A35H-A4T7U4

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

S-19251A35H-A4T6U4ABLIC Inc.参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

575 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A35

MACOM

RF Amplifier 10-2000MHz NF 5.0dB Gain 10.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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A35-1

MACOM

RF Amplifier 2-2400MHz NF 4.2dB Gain 9.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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2N2919

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2N2919L

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2N2919U

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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2N2919U/TR

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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6116LA35DB

IDT

主要参数包括高度 2.9 mm、长度 32 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 6116 IDT6116LA35DB，采用 CDIP-24 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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6116LA35TDB

IDT

主要参数包括高度 3.56 mm、长度 32.51 mm、宽度 7.62 mm、型号别名 6116 IDT6116LA35TDB，采用 CDIP-24 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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6116SA35TDB

IDT

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-24 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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7130LA35C

IDT

主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-SB-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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