原型号
查看详情 · 1 条候选82V3202NLG
Renesas Electronics Corporation
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- 8A34002E-000NLGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
17 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 8V89313NLG | Renesas |
| 2022-09-06 | 查看资料 |
| 8V89313NLG8 | Renesas |
| 2022-09-06 | 查看资料 |
| 82V32021NLG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V32021NLG/C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V32021NLG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3202NLG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3202NLG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3390BEQG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3390BEQG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3255EDG | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255EDG8 | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG-ECI | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG8 | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG8-ECI | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| NRVBA340T3G | onsemi |
| 2020-02-21 | 查看资料 |
| OPA345 | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
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Analog Devices Inc.
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
A34
MACOM
RF Amplifier 100-2000MHz NF 5.5dB Gain 16.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierA3406UC6LRP
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 400 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 30 A、额定重复断态电压（VDRM） 300 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 150 mA，采用 Modified-MS-013-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)A3406UC6LTP
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 400 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 30 A、额定重复断态电压（VDRM） 300 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 150 mA，采用 Modified-MS-013-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)A3406UC6RP
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 400 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 30 A、额定重复断态电压（VDRM） 300 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 150 mA，采用 Modified-MS-013-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)A3406UC6TP
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 400 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 30 A、额定重复断态电压（VDRM） 300 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 150 mA，采用 Modified-MS-013-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)8A34000C-000AJG
IDT
Clock Synthesizer / Jitter Cleaner
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Synthesizer / Jitter Cleaner8A34000C-000AJG
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 SG、湿敏性 是。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Synthesizer / Jitter Cleaner8A34000C-000AJG8
IDT
Clock Synthesizer / Jitter Cleaner
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Synthesizer / Jitter Cleaner8A34000C-000AJG8
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 SG、湿敏性 是。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Synthesizer / Jitter Cleaner8A34001B-000AJG
IDT
主要参数包括最大输出频率 1000 MHz、最大输入频率 1000 MHz、类型 Clock Synchronizer、输出数 24 Output、产品 Clocks，采用 CABGA-144 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Synthesizer / Jitter Cleaner