A3010
MACOM
RF Amplifier .01-2500MHz NF 4.5dB Gain 9.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier技术资料参考
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MACOM
RF Amplifier .01-2500MHz NF 4.5dB Gain 9.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
RF Amplifier 10-2500MHz NF 4.5dB Pout 19dBm SMA Conn.
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流(If) 30 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V,采用 TO-277-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 30 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V,采用 TO-3PN 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、最大工作频率 4 GHz、最小工作频率 0 Hz、类型 GaN on SiC Transistor、漏源击穿电压(Vds) 84 V、连续漏极电流(Id) 12 A,采用 440223 封装。
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