搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
KA2807DTF	onsemi	KA2807MUX	2021-10-04	查看资料
PI3A288ZMEX-2017	Diodes Incorporated	PI3A288ZMEX	2020-02-05	查看资料
INA293B3IDBVT	Texas Instruments	INA281B3IDBVR INA290A3IDCKR		查看资料
LM346M/NOPB	Texas Instruments	PGA280AIPWR		查看资料
LM346MX/NOPB	Texas Instruments	PGA280AIPWR		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

74 个原型号

原型号

OPA2832IDR

Texas Instruments

查看详情 · 6 条候选

MAX4217ESA+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

R1122N281A-TR-FE

Nisshinbo Micro Devices Inc.

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

XC6504A281MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

S-1003NB28I-I6T1U

ABLIC Inc.

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-1003NA28I-I6T1UABLIC Inc.参数相近

原型号

S-1004NB28I-M5T1U

ABLIC Inc.

查看详情 · 11 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-1004NA28I-M5T1UABLIC Inc.参数相近

原型号

S-1009N28I-M5T1U

ABLIC Inc.

查看详情 · 11 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-1004NA28I-M5T1UABLIC Inc.参数相近

原型号

S-1312B28-A4T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-1312A28-A4T1U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-1312D28-M5T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-1312A28-M5T1U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-1313A28-A4T2U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 4 条候选

S-1313A28-A4T1U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-1318A28-M5T1U4

ABLIC Inc.

查看详情 · 5 条候选

S-1318D28-M5T1U4ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-13A1A28-E6T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

S-13A1F28-E6T1U3ABLIC Inc.参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

554 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A28

MACOM

RF Amplifier 10-1500MHz NF 6.0dB Gain 11dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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A28-2

MACOM

RF Amplifier 10-1500MHz NF 3.5dB Gain 14.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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15KPA280CA

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 342.4 V、工作电压 280 V、钳位电压 454.5 V、峰值脉冲电流（Ipp） 33.2 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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15KPA28CA

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 34.24 V、工作电压 28 V、钳位电压 47.5 V、峰值脉冲电流（Ipp） 317.9 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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30KPA280CA-B

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括端接方式 Axial、钳位电压 464 V、峰值脉冲电流（Ipp） 65.3 A、峰值脉冲耗散功率（Pppm） 30 kW、最大工作温度 + 175 C、单件重量 0.088185 oz，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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30KPA28A

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 31.28 V、工作电压 28 V、钳位电压 50 V、峰值脉冲电流（Ipp） 606 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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AVR128DA28-E/SO

Microchip Technology

该型号为8 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 24 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 16 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 10 位、输入／输出数 23 个输入／输出，采用 SOIC-28 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCU

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AVR128DA28-E/SP

Microchip Technology

该型号为8 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 24 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 16 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 23 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 SPDIP-28 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCU

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AVR128DA28-E/SS

Microchip Technology

该型号为8 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 24 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 16 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 10 位、输入／输出数 23 个输入／输出，采用 SSOP-28 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCU

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AVR128DA28-I/SO

Microchip Technology

该型号为8 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 24 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 16 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 23 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 SOIC-28 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCU

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