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原厂资料

5 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
KA2807DTFonsemi
  • KA2807MUX
2021-10-04查看资料
PI3A288ZMEX-2017Diodes Incorporated
  • PI3A288ZMEX
2020-02-05查看资料
INA293B3IDBVTTexas Instruments
  • INA281B3IDBVR
  • INA290A3IDCKR
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LM346M/NOPBTexas Instruments
  • PGA280AIPWR
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LM346MX/NOPBTexas Instruments
  • PGA280AIPWR
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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

74 个原型号
原型号

LM346M/NOPB

Texas Instruments

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  • PGA280AIPWTexas Instruments相似型号
原型号

LMH6626MAX/NOPB

Texas Instruments

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  • OPA2889IDTexas Instruments相似型号
原型号

LMH6655MAX/NOPB

Texas Instruments

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  • OPA2889IDTexas Instruments相似型号
原型号

LT6206CMS8#TRPBF

Analog Devices Inc.

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  • OPA2830IDGKRTexas Instruments相似型号
原型号

LT6206IMS8#TRPBF

Analog Devices Inc.

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  • OPA2832IDGKTTexas Instruments相似型号
原型号

NCP600SN280T1G

onsemi

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  • S-1333A28-M5T1U3ABLIC Inc.相似型号
原型号

NCP603SN280T1G

onsemi

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  • S-1333A28-M5T1U3ABLIC Inc.相似型号
原型号

OPA2822UG4

Texas Instruments

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  • OPA2822UTexas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

OPA2830ID

Texas Instruments

查看详情 · 3 条候选
  • OPA2830IDRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

554 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A28

MACOM

RF Amplifier 10-1500MHz NF 6.0dB Gain 11dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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A28-2

MACOM

RF Amplifier 10-1500MHz NF 3.5dB Gain 14.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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15KPA280CA

Littelfuse

该型号为二极管,主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 342.4 V、工作电压 280 V、钳位电压 454.5 V、峰值脉冲电流(Ipp) 33.2 A,采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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15KPA28CA

Littelfuse

该型号为二极管,主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 34.24 V、工作电压 28 V、钳位电压 47.5 V、峰值脉冲电流(Ipp) 317.9 A,采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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30KPA280CA-B

Littelfuse

该型号为二极管,主要参数包括端接方式 Axial、钳位电压 464 V、峰值脉冲电流(Ipp) 65.3 A、峰值脉冲耗散功率(Pppm) 30 kW、最大工作温度 + 175 C、单件重量 0.088185 oz,采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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30KPA28A

Littelfuse

该型号为二极管,主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 31.28 V、工作电压 28 V、钳位电压 50 V、峰值脉冲电流(Ipp) 606 A,采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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AVR128DA28-E/SO

Microchip Technology

该型号为8 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 24 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 16 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 10 位、输入/输出数 23 个输入/输出,采用 SOIC-28 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCU
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AVR128DA28-E/SP

Microchip Technology

该型号为8 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 24 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 16 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 23 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.8 V,采用 SPDIP-28 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCU
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AVR128DA28-E/SS

Microchip Technology

该型号为8 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 24 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 16 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 10 位、输入/输出数 23 个输入/输出,采用 SSOP-28 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCU
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AVR128DA28-I/SO

Microchip Technology

该型号为8 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 24 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 16 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 23 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.8 V,采用 SOIC-28 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCU
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