原型号
查看详情 · 4 条候选XC6222B271MR-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6222A271MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 4 条候选XC6222B27BPR-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6222A27BPR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 4 条候选XC6222C271ER-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6222A271ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 4 条候选XC6222C271PR-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6222A271PR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 4 条候选XC6222D271MR-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6222A271MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 4 条候选XC6227C271ER-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6222A271ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 4 条候选XC6227C271PR-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6222A271PR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 11 条候选XC6501B27A7R-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6221A27A7R-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 11 条候选XC6501C2717R-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6221A2727R-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
查看详情 · 13 条候选XC6501C27AGR-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6221A27AGR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
A27
MACOM
RF Amplifier 10-1500MHz NF 7.5dB Gain 8.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierBZT52H-A27-QX
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52H-A27X
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX384-A27-QX
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX384-A27X
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84-A27,215
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 1 %、电压温度系数 23.4 mV/K、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84-A27-QR
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCDZFHT2RA27B
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 100 mW、稳压管电流 2 mA、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCMPA2735075F
Cree, Inc.
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.7～3.5 GHz、测试频率 2.7～3.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 RF Power Amplifier，采用 0.5 in x 0.5 in 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCMPA2735075F1
Wolfspeed / Cree
RF Amplifier 75W, GaN MMIC Power Amplifier, 50V, 2.7-3.5GHz, Flange
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier