ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HX2127011QDiodes Incorporated
  • HX2A27001Q
2024-11-14查看资料
FSAM75SM60SLonsemi
  • FNA27560/FNB35060T
2019-11-04查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

53 个原型号
原型号

S-1112B27MC-L6MTFG

ABLIC Inc.

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • XC6504A271MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

S-1313A27-A4T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 3 条候选
  • S-1313B27-A4T1U3ABLIC Inc.参数相近
原型号

S-1313C27-A4T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-1313A27-A4T1U3ABLIC Inc.参数相近
原型号

S-1333A27-A4T2U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • S-1333A27-A4T1U3ABLIC Inc.参数相近
原型号

S-13A1H27-E6T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-13A1A27-E6T1U3ABLIC Inc.参数相近
原型号

S-13R1A27-M5T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选
  • S-13R1B27-M5T1U3ABLIC Inc.参数相近
原型号

S-13R1D27-A4T2U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-13R1A27-A4T2U3ABLIC Inc.参数相近
原型号

S-13R1F27-M5T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-13R1A27-M5T1U3ABLIC Inc.参数相近
原型号

S-19251D27H-A4T6U4

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-19251A27H-A4T6U4ABLIC Inc.参数相近
原型号

S-19405A27A-A8T1U4

ABLIC Inc.

查看详情 · 3 条候选
  • S-19405B27A-A8T1U4ABLIC Inc.参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

417 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A27

MACOM

RF Amplifier 10-1500MHz NF 7.5dB Gain 8.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
查看技术资料

BZT52H-A27-QX

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 27 V、耗散功率(Pd) 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流(Ir) 50 nA、稳压管阻抗(Zz) 40 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

BZT52H-A27X

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 27 V、耗散功率(Pd) 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流(Ir) 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

BZX384-A27-QX

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 27 V、耗散功率(Pd) 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流(Ir) 50 nA、稳压管阻抗(Zz) 80 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

BZX384-A27X

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 27 V、耗散功率(Pd) 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流(Ir) 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

BZX84-A27,215

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 27 V、耗散功率(Pd) 250 mW、电压容差 1 %、电压温度系数 23.4 mV/K、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗(Zz) 80 Ω,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

BZX84-A27-QR

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 27 V、耗散功率(Pd) 250 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流(Ir) 50 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

CDZFHT2RA27B

ROHM Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 27 V、耗散功率(Pd) 100 mW、稳压管电流 2 mA、稳压管阻抗(Zz) 150 Ω、最大工作温度 + 150 C、配置 Single,采用 SOD-923-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

CMPA2735075F

Cree, Inc.

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.7~3.5 GHz、测试频率 2.7~3.5 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 RF Power Amplifier,采用 0.5 in x 0.5 in 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
查看技术资料

CMPA2735075F1

Wolfspeed / Cree

RF Amplifier 75W, GaN MMIC Power Amplifier, 50V, 2.7-3.5GHz, Flange

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
查看技术资料