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原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HX2127011QDiodes Incorporated
  • HX2A27001Q
2024-11-14查看资料
FSAM75SM60SLonsemi
  • FNA27560/FNB35060T
2019-11-04查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

53 个原型号
原型号

OP27GN8#PBF

Analog Devices Inc.

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA27GPTexas Instruments相似型号
原型号

OPA2703EA/250G4

Texas Instruments

查看详情 · 38 条候选
  • OPA2703EA/250Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

OPA2704UA/2K5

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • MCP6H72-E/SNMicrochip Technology相似型号
原型号

OPA2725AIDR

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选
  • OP262TRZ-EPAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

OPA2743PA

Texas Instruments

查看详情 · 3 条候选
  • LM6132BIN/NOPBTexas Instruments相似型号
原型号

OPA2743UA/2K5

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选
  • AD8028ARZAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

OPA277UA/2K5G4

Texas Instruments

查看详情 · 13 条候选
  • OPA277UA/2K5Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

S-1000C27-M5T1G

ABLIC Inc.

查看详情 · 11 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-1002CA27I-M5T1UABLIC Inc.参数相近
原型号

S-1003NA27I-I6T1U

ABLIC Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • S-1003NB27I-I6T1UABLIC Inc.参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

417 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A27

MACOM

RF Amplifier 10-1500MHz NF 7.5dB Gain 8.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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BZT52H-A27-QX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZT52H-A27X

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX384-A27-QX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX384-A27X

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX84-A27,215

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 1 %、电压温度系数 23.4 mV/K、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX84-A27-QR

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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CDZFHT2RA27B

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 100 mW、稳压管电流 2 mA、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-923-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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CMPA2735075F

Cree, Inc.

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.7～3.5 GHz、测试频率 2.7～3.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 RF Power Amplifier，采用 0.5 in x 0.5 in 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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CMPA2735075F1

Wolfspeed / Cree

RF Amplifier 75W, GaN MMIC Power Amplifier, 50V, 2.7-3.5GHz, Flange

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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