搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
SF20JG_HF-A26	Diodes Incorporated	SF20JG_HF	2025-07-23	查看资料
PT8A2648WE	Diodes Incorporated	PT8A2648WEX	2023-01-31	查看资料
FSA2267L10X	onsemi	TS5A26542	2022-06-30	查看资料
FSA266K8X	onsemi	SN74CB3Q3306A	2022-06-30	查看资料
MMT05A260T3G	onsemi	TISP4320M3AJ		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

47 个原型号

原型号

S-13A1G26-E6T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-13A1A26-E6T1U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-13R1B26-M5T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-13R1A26-M5T1U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-13R1E26-A4T2U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-13R1A26-A4T2U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-13R1G26-M5T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-13R1A26-M5T1U3ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-19405H26A-K8T2U4

ABLIC Inc.

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-19405A26A-K8T2U4ABLIC Inc.参数相近

原型号

S-80826CLMC-B6LT2U

ABLIC Inc.

查看详情 · 10 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

S-1002CA26I-M5T1UABLIC Inc.参数相近

原型号

S-T111B26MC-OGLTFU

ABLIC Inc.

查看详情 · 11 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

XC6504A261MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

THS3202D

Texas Instruments

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

OPA2695IRGTTTexas Instruments相似型号

原型号

THS3202DGNG4

Texas Instruments

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

OPA2695IRGTTTexas Instruments相似型号

原型号

TPS7350QDR

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

TPS7A2650DRVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

328 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A26

MACOM

RF Amplifier 10-1500MHz NF 5.0dB Gain 20.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

查看技术资料

10CX085YU484I6G

Altera

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 6.47 Mbit、总存储容量 6473 kbit、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 900 mV、电源电压（最大值） 900 mV、工作电源电压 900 mV，采用 UBGA-484 封装。

半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array

查看技术资料

15KPA260CA

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 318 V、工作电压 260 V、钳位电压 416.7 V、峰值脉冲电流（Ipp） 36.2 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

查看技术资料

15KPA26A

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 31.8 V、工作电压 26 V、钳位电压 44 V、峰值脉冲电流（Ipp） 343.2 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

查看技术资料

15KPA26CA

Littelfuse

该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 31.8 V、工作电压 26 V、钳位电压 44 V、峰值脉冲电流（Ipp） 343.2 A，采用 P600-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

查看技术资料

ACDBA260-HF

Comchip Technology

该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料

ACDBA260LR-HF

Comchip Technology

该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料

BTA26-600BRG

STMicroelectronics

主要参数包括非重复通态电流 260 A、额定重复断态电压（VDRM） 600 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态电压 1.55 V、最大维持电流（Ih） 80 mA、门极触发电压（Vgt） 1.3 V，采用 TOP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs

查看技术资料

BTA26-600BWRG

STMicroelectronics

主要参数包括非重复通态电流 260 A、额定重复断态电压（VDRM） 600 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态电压 1.55 V、最大维持电流（Ih） 75 mA、门极触发电压（Vgt） 1.3 V，采用 TOP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs

查看技术资料

BTA26-700BRG

STMicroelectronics

主要参数包括非重复通态电流 260 A、额定重复断态电压（VDRM） 700 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态电压 1.7 V、最大维持电流（Ih） 80 mA、门极触发电压（Vgt） 1.5 V，采用 TOP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs

查看技术资料