原型号
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Texas Instruments
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第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
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Texas Instruments
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原型号
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Texas Instruments
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Texas Instruments
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原型号
查看详情 · 3 条候选REG113NA-5/250
Texas Instruments
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原型号
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ABLIC Inc.
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- S-1003CA26I-I6T1UABLIC Inc.参数相近
原型号
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ABLIC Inc.
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- XC6504A261MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
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ABLIC Inc.
- S-1312A26-A4T1U3ABLIC Inc.参数相近
原型号
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ABLIC Inc.
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- S-1312A26-M5T1U3ABLIC Inc.参数相近
原型号
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ABLIC Inc.
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- S-1313A26-A4T1U3ABLIC Inc.参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
A26
MACOM
RF Amplifier 10-1500MHz NF 5.0dB Gain 20.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier10CX085YU484I6G
Altera
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 6.47 Mbit、总存储容量 6473 kbit、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 900 mV、电源电压（最大值） 900 mV、工作电源电压 900 mV，采用 UBGA-484 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array15KPA260CA
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 318 V、工作电压 260 V、钳位电压 416.7 V、峰值脉冲电流（Ipp） 36.2 A，采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors15KPA26A
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 31.8 V、工作电压 26 V、钳位电压 44 V、峰值脉冲电流（Ipp） 343.2 A，采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors15KPA26CA
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 31.8 V、工作电压 26 V、钳位电压 44 V、峰值脉冲电流（Ipp） 343.2 A，采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsACDBA260-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersACDBA260LR-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersBTA26-600BRG
STMicroelectronics
主要参数包括非重复通态电流 260 A、额定重复断态电压（VDRM） 600 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态电压 1.55 V、最大维持电流（Ih） 80 mA、门极触发电压（Vgt） 1.3 V，采用 TOP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > TriacsBTA26-600BWRG
STMicroelectronics
主要参数包括非重复通态电流 260 A、额定重复断态电压（VDRM） 600 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态电压 1.55 V、最大维持电流（Ih） 75 mA、门极触发电压（Vgt） 1.3 V，采用 TOP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > TriacsBTA26-700BRG
STMicroelectronics
主要参数包括非重复通态电流 260 A、额定重复断态电压（VDRM） 700 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态电压 1.7 V、最大维持电流（Ih） 80 mA、门极触发电压（Vgt） 1.5 V，采用 TOP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs