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原厂资料

28 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FJ2500049QDiodes Incorporated
  • HX2A25015Q
2025-08-22查看资料
HX31250035Diodes Incorporated
  • HX3A25013J
2025-06-16查看资料
HX2125004QDiodes Incorporated
  • HX2A25004Q
2024-11-14查看资料
FJ2500011Diodes Incorporated
  • HX2A250003
2024-06-25查看资料
FK2500042Diodes Incorporated
  • HX3A250004
2024-06-25查看资料
FK2500054Diodes Incorporated
  • HX3A250002
2024-06-25查看资料
HX21250020Diodes Incorporated
  • HX2A250006
2024-06-25查看资料
HX3125021QDiodes Incorporated
  • HX3A25006Q
2024-06-25查看资料
HX3125025ZDiodes Incorporated
  • HX3A25005Z
2024-06-25查看资料
7130SA55CMRenesas
  • 7130LA25PFGI
2023-12-05查看资料
NLAS3899BMNTBGonsemi
  • FSA2567UMX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTWGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTXGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
71256SA25PZGRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZG8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGIRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGI8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25YGRenesas
  • 71256SA25PZGI
2022-02-28查看资料
71256SA25YG8Renesas
  • 71256SA25PZGI8
2022-02-28查看资料
KA258ADTFonsemi
  • LM258DR2G
2019-11-04查看资料
VS-HFA25PB60PBFVishay
  • VS-HFA25PB60-N3
2019-09-14查看资料
0W463-002-XDIonsemi
  • CAT25A256DTR
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CG9059AMInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CG9059AMTInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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CY14B101LA-SZ25XIInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CY14B101LA-SZ25XITInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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ESDA25B1STMicroelectronics
  • ESDA25SC6Y
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OPA241PATexas Instruments
  • OPA241UA/2K5
  • OPA251UA/2K5
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

128 个原型号
原型号

71321LA55TFG8

Renesas Electronics Corporation

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 71321LA25TFGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71321SA25TF8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71321LA20TFG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71321SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

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  • 71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7132LA25PDGI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7132LA20JGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7132LA35JI

Renesas Electronics Corporation

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  • 7132LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7133LA35PFI8

Renesas Electronics Corporation

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  • 7133LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7133LA90JI

Renesas Electronics Corporation

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  • 7133LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7133SA25J8

Renesas Electronics Corporation

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  • 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7133SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

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  • 7133LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71342SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

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  • 71342LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

960 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

A25

MACOM

RF Amplifier 5-1500MHz NF 6.0dB Gain 10dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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A25-1

MACOM

RF Amplifier 2-1500MHz NF 3.4dB Gain 13.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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23A256-I/P

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 PDIP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A256-I/SN

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A256-I/ST

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A256T-I/SN

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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23A256T-I/ST

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、数据速率 SDR，采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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24AA256-E/MF

Microchip Technology

主要参数包括存储容量 256 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 32 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001319 oz，采用 DFN-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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24AA256-E/MS

Microchip Technology

主要参数包括存储容量 256 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 32 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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24AA256-E/P

Microchip Technology

主要参数包括存储容量 256 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 32 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.032805 oz，采用 PDIP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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