原型号
查看详情 · 1 条候选EFM32WG890F128-B-BGA112
Silicon Labs
- EFM32GG12B330F512GL112-ASilicon Labs第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
21 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FSA1156L6X | onsemi |
| 2022-12-15 | 查看资料 |
| LA1117AACAADJ | Diodes Incorporated |
| 2021-11-11 | 查看资料 |
| LA1117AADB250 | Diodes Incorporated |
| 2021-11-11 | 查看资料 |
| LA1117AADB330 | Diodes Incorporated |
| 2021-11-11 | 查看资料 |
| LA1117AADB500 | Diodes Incorporated |
| 2021-11-11 | 查看资料 |
| LA1117AADBADJ | Diodes Incorporated |
| 2021-11-11 | 查看资料 |
| LA1117AATB330 | Diodes Incorporated |
| 2021-11-11 | 查看资料 |
| DDA114EK-7-F | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DDA114TK-7-F | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DDA114YK-7-F | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| NTDV20P06LT4G | onsemi |
| 2019-07-24 | 查看资料 |
| FJY4006R | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| FSA1157L6X | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| FSA805UMX | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| KSA812YMTF | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| 2SA1179N6-CPA-TB-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| 2SA1179N6-TB-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| INA118P | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LC5872-1A11-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| NSBA114TDXV6T5G | onsemi |
| 查看资料 | |
| SFSDTA114YET1 | onsemi |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选EFM32WG990F64-B-BGA112R
Silicon Labs
- EFM32GG12B430F512GL112-ARSilicon Labs第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 3 条候选FSA66L6X
onsemi
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- FSA1156L6Xonsemi相似型号
原型号
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Renesas Electronics Corporation
- LMH6551MAX/NOPBTexas Instruments相似型号
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Renesas Electronics Corporation
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Renesas Electronics Corporation
- AD8007ARZ-RLAnalog Devices Inc.相似型号
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Texas Instruments
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Lattice Semiconductor Corporation
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原型号
查看详情 · 47 条候选LT1167CS8-1#TRPBF
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- INA118UTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 24 条候选LT1920IS8
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- INA118UTexas Instruments相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
A11
MACOM
RF Amplifier 5-1000MHz NF 3.1dB Gain 14.7dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierA11-2
MACOM
RF Amplifier 5-1000MHz NF 2.5dB Gain 16dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierA1101ELHLT-T
Allegro MicroSystems
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、输出电压 215 mV、最大输出电流 25 mA、类型 Unipolar，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic SensorsA1101ELHLX-T
Allegro MicroSystems
该型号为传感器，主要参数包括类型 Unipolar、原产国家或地区 菲律宾，采用 ZLH-3 封装。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic SensorsA1101EUA-T
Allegro MicroSystems
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、输出电压 215 mV、最大输出电流 25 mA、类型 Unipolar，采用 SIP-3 封装。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic SensorsA1101LLHLT-T
Allegro MicroSystems
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、输出电压 215 mV、最大输出电流 25 mA、类型 Unipolar，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic SensorsA1101LLHLX-T
Allegro MicroSystems
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、最大输出电流 25 mA、类型 Unipolar、工作电源电流 4.1 mA，采用 ZLH-3 封装。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic SensorsA1101LUA-T
Allegro MicroSystems
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、输出电压 215 mV、最大输出电流 25 mA、类型 Unipolar，采用 SIP-3 封装。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic SensorsA1102ELHLT-T
Allegro MicroSystems
该型号为传感器，主要参数包括工作电源电压 3.8～24 V、电源电压（最大值） 24 V、电源电压（最小值） 3.8 V、输出电压 215 mV、最大输出电流 25 mA、类型 Unipolar，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic SensorsA1102ELHLX-T
Allegro MicroSystems
该型号为传感器，主要参数包括类型 Unipolar、湿敏性 是，采用 ZLH-3 封装。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors