原型号
查看详情 · 20 条候选74AVC1T45FW5-7
Diodes Incorporated
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 12 条候选74AVC1T45GS,132
Nexperia USA Inc.
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 13 条候选74AXP1T45GXZ
Nexperia USA Inc.
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选DS15BA101SD/NOPB
Texas Instruments
- DS15BA101SDE/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选DS15BA101SDE/NOPB
Texas Instruments
- DS15BA101SD/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号
查看详情 · 10 条候选NTS0101GS,132
NXP USA Inc.
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选PIC24F08KA101T-I/SS
Microchip Technology
- PIC24F08KA101-I/SSMicrochip Technology直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选QS4A101QG
Renesas Electronics Corporation
- QS3125QGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 2 条候选XC6603A101ER-G
Torex Semiconductor Ltd
- XC6604A101ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
A101
MACOM
RF Amplifier 5-100MHz NF 3.0dB Gain 17dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier2SA1012R
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-252AA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTACFRA101-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersACT88325VA101-T
Qorvo
该型号为电源管理器件，主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电流 300 mA, 3 A, 4 A、类型 Advanced PMU、输入电压范围 2.7～5.5 V、输入电流 250 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 WLCSP-36 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICAFE-R360C5-Q3A1
Advantech
主要参数包括最大时钟频率 4.3 GHz、工作电源电压 12～24 V、接口类型 Ethernet, I2C, SPI, USB、存储器类型 DDR5、内核 Core Ultra 5 125U、内核数 12 Core。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Processors - Application SpecializedAFE-R360C5P-Q5A1
Advantech
主要参数包括最大时钟频率 4.5 GHz、工作电源电压 12～24 V、接口类型 Ethernet, I2C, SPI, USB、存储器类型 DDR5、内核 Core Ultra 5 125H、内核数 14 Core。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Processors - Application SpecializedAFE-R360C7-Q8A1
Advantech
主要参数包括最大时钟频率 4.8 GHz、工作电源电压 12～24 V、接口类型 Ethernet, I2C, SPI, USB、存储器类型 DDR5、内核 Core Ultra 7 155U、内核数 12 Core。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Processors - Application SpecializedAFE-R360C7P-Q8A1
Advantech
主要参数包括最大时钟频率 4.8 GHz、工作电源电压 12～24 V、接口类型 Ethernet, I2C, SPI, USB、存储器类型 DDR5、内核 Core Ultra 7 155H、内核数 16 Core。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Processors - Application SpecializedASMA101
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar TransistorsBD9A101MUV-LBE2
ROHM Semiconductor
该型号为开关稳压器，主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、开关频率 1 MHz、类型 Integrated MOSFET Single Synchronous Buck Converter、输出数 1 Output，采用 VQFN-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage Regulators