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IDT
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 105 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer技术资料参考
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IDT
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 105 MHz、输出数 6 Output、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C,采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferRenesas Electronics
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输入频率 105 MHz、输出数 6 Output、传播延迟(最大值) 150 ps、最小工作温度 0 C,采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock BufferIDT
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、最大输入频率 105 MHz、最大输出频率 105 MHz、输入类型 LVCMOS、输出类型 HCSL,采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferRenesas Electronics
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、最大输出频率 105 MHz、最大输入频率 105 MHz、输出类型 HCSL、输入类型 LVCMOS,采用 TSSOP-28 封装。
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