8P34S2108NLGI8
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 1.89 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 2 GHz、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 LVDS、类型 High Performance，采用 VFQFN-48 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 8516FYILFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8516FYLFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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8P34S2108NLGI8
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、最大输入频率 2 GHz、输出类型 LVDS、输入类型 LVCMOS, LVDS, LVPECL、类型 High Performance，采用 VFQFN-48 封装。
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