854S006AGILF
IDT
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输出数 6 Output、传播延迟(最大值) 0.85 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer技术资料参考
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IDT
主要参数包括电源电压(最大值) 3.465 V、电源电压(最小值) 3.135 V、输出数 6 Output、传播延迟(最大值) 0.85 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferRenesas Electronics
主要参数包括电源电压(最小值) 3.135 V、电源电压(最大值) 3.465 V、输出数 6 Output、传播延迟(最大值) 850 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 TSSOP-24 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock BufferIDT
主要参数包括高度 1 mm、长度 7.8 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 854S006I ICS854S006AGILFT、单件重量 0.007478 oz,采用 TSSOP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Drivers & DistributionRenesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 AT、型号别名 ICS854S006AGILFT 854S006I、单件重量 0.007478 oz。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer