85411AMILF
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 2.5 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。
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原厂资料
4 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 85411AMILF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 85411AMILF-UBN | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 85411AMILFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 85411AMILFT-UBN | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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85411AMILFT
IDT
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 85411I ICS85411AMILFT、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。
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