853S111BYILF
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.375 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 0.495 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 PTQFP-32 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 853S111BYILF | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 853S111BYILFT | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
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853S111BYILFT
IDT
主要参数包括高度 1 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是、型号别名 853S111BI ICS853S111BYILFT，采用 PTQFP-32 封装。
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