853S111BKILF
IDT
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是、型号别名 853S111BI，采用 VFQFPN-32 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer搜索结果
原厂资料
4 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 853S111BYILF | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 8T33FS6111DXGI | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 853S111BYILFT | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 8T33FS6111DXGI8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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853S111BKILF
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 610 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 VFQFN-32 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer853S111BKILFT
IDT
主要参数包括高度 1 mm、长度 5 mm、宽度 5 mm、湿敏性 是、型号别名 853S111BI，采用 VFQFPN-32 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer853S111BKILFT
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、输出数 10 Output、传播延迟（最大值） 610 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 VFQFN-32 封装。
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