853S011BMILF
IDT
主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 0.34 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。
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IDT
主要参数包括电源电压(最大值) 3.8 V、电源电压(最小值) 2.375 V、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 0.34 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferRenesas Electronics
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.8 V、输出数 2 Output、传播延迟(最大值) 340 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock BufferIDT
主要参数包括高度 1.5 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、型号别名 853S011BI ICS853S011BMILFT、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock BufferRenesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 AT、产品 Fanout Buffers、型号别名 ICS853S011BMILFT 853S011BI、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。
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