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Renesas Electronics Corporation
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- 853S011BGILFRenesas Electronics Corporation参数相近
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芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
853S011BGILF
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 3.8 V、电源电压（最小值） 2.375 V、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 0.34 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer853S011BGILF
Renesas Electronics
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.8 V、输出数 2 Output、传播延迟（最大值） 340 ps、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer853S011BGILFT
IDT
主要参数包括高度 0.97 mm、长度 3 mm、宽度 3 mm、湿敏性 是、型号别名 853S011BI ICS853S011BGILFT、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer853S011BGILFT
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 AT、湿敏性 是、产品 Fanout Buffers、型号别名 ICS853S011BGILFT 853S011BI、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Buffer