840S07BYILF
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输出频率 166.67 MHz、输出数 7 Output、输出电平 LVCMOS, LVTTL、输入电平 LVCMOS，采用 PTQFP-32 封装。
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原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 840S07BYILF | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 840S07BYILFT | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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840S07BYILFT
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输出频率 166.67 MHz、输出数 7 Output、输出电平 LVCMOS, LVTTL、输入电平 LVCMOS，采用 PTQFP-32 封装。
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