AD8011ANZ
Analog Devices
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V，采用 PDIP-8 封装。
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AD8011ARZ
Analog Devices
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsAD8011ARZ-REEL
Analog Devices
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsAD8011ARZ-REEL7
Analog Devices
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsAPT8011JFLL
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAPT8011JFLL
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 51 A、漏源导通电阻（Rds On） 125 mOhms、栅源电压（Vgs） - 30 V, + 30 V，采用 SOT-227-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesAPT8011JLL
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAPT8011JLL
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 51 A、漏源导通电阻（Rds On） 110 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesAV8063801106500S R0UY
Intel
主要参数包括最大时钟频率 2.4 GHz、存储容量 32 GB、存储通道数 2 个通道、PCI Express 通道数 16 Lane、睿频频率（最大值） 3.4 GHz、英特尔超线程技术 With HT Technology，采用 BGA-1224 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsAV8063801116102S R0QK
Intel
主要参数包括最大时钟频率 2.7 GHz、存储容量 16 GB、存储通道数 2 个通道、PCI Express 通道数 16 Lane、睿频频率（最大值） 3.3 GHz、英特尔超线程技术 With HT Technology，采用 FCPGA-1023 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing Units