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Renesas Electronics Corporation
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芯片技术资料
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74CBTLV3861PGG
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs74CBTLV3861PGG
Renesas Electronics
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.3～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.3 V、位数 10 位、传播延迟（最大值） 250 ps、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-24 封装。
半导体 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs74CBTLV3861PGG8
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、高度 1 mm、长度 7.8 mm、宽度 4.4 mm、型号别名 74CBTLV3861 IDT74CBTLV3861PGG8、单件重量 0.007478 oz，采用 TSSOP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs74CBTLV3861PGG8
Renesas Electronics
该型号为集成电路，主要参数包括位数 10 位、原产国家或地区 中国台湾、型号别名 IDT74CBTLV3861PGG8 74CBTLV3861、单件重量 0.007478 oz，采用 TSSOP-24 封装。
半导体 > Switch ICs > Digital Bus Switch ICs