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IDT

主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、高度 1.4 mm、长度 20 mm、宽度 14 mm、湿敏性是，采用 TQFP-128 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO

IDT

主要参数包括电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、高度 1.4 mm、长度 20 mm、宽度 14 mm、湿敏性是，采用 TQFP-128 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO