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3 条型号记录

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IDT

主要参数包括电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、高度 1.76 mm、长度 19 mm、宽度 19 mm、湿敏性是，采用 PBGA-240 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO

IDT

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、定时类型 Synchronous、数据总线宽度 9 bit, 18 bit，采用 PBGA-240 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO

IDT

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、定时类型 Synchronous、数据总线宽度 18 位，采用 PBGA-240 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO