7202LA12SOG8
IDT
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、高度 2.62 mm、长度 17.9 mm、宽度 8.4 mm、湿敏性 是,采用 SOIC-28 封装。
半导体 > Memory ICs > FIFO技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IDT
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、高度 2.62 mm、长度 17.9 mm、宽度 8.4 mm、湿敏性 是,采用 SOIC-28 封装。
半导体 > Memory ICs > FIFORenesas Electronics
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 IDT7202LA12SOG8 7202、单件重量 0.078125 oz,采用 SOIC-28 封装。
半导体 > Memory ICs > FIFO