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4 条型号记录

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IDT

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、高度 2.62 mm、长度 17.9 mm、宽度 8.4 mm、湿敏性是，采用 SOIC-28 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、原产国家或地区中国台湾、湿敏性是、型号别名 IDT7201LA12SOG 7201、单件重量 0.078125 oz，采用 SOIC-28 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO

IDT

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、高度 2.62 mm、长度 17.9 mm、宽度 8.4 mm、湿敏性是，采用 SOIC-28 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO

Renesas Electronics

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、原产国家或地区中国台湾、湿敏性是、型号别名 IDT7201LA12SOG8 7201、单件重量 0.078125 oz，采用 SOIC-28 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO