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来源：第三方数据源非原厂公告

5 个原型号
原型号

71V67703S80PFGI8

Renesas Electronics Corporation

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  • IS61LPD25636A-200TQLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

AS8C803625-QC75N

Alliance Memory, Inc.

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  • 71V67703S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

IS61LPD25636A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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  • 71V67703S80PFGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

IS61LPS25636A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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  • 71V67703S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

IS61NLP25636A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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  • 71V67703S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

5 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

71V67703S80PFG

IDT

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V67703S80PFG8

IDT

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V67703S80PFGI

IDT

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V67703S80PFGI

Renesas Electronics

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V67703S80PFGI8

IDT

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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