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原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V424S12YGIRenesas
  • 71V424S12PHGI
2022-02-28查看资料
71V424S12YGI8Renesas
  • 71V424S12PHGI8
2022-02-28查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

4 个原型号
原型号

71V424L12PHG8

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V424S12PHGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V424S10PHGI8

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V424S12PHGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

AS7C34096A-10TCNTR

Alliance Memory, Inc.

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  • 71V424S12PHGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

AS7C34096A-15TCN

Alliance Memory, Inc.

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  • 71V424S12PHGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

71V424S12PHGI

IDT

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V424S12PHGI

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V424S12PHGI8

IDT

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

71V424S12PHGI8

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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