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Renesas Electronics Corporation
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技术资料参考
芯片技术资料
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71V3579S75PFGI
IDT
主要参数包括最大时钟频率 117 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71V3579S75PFGI8
IDT
主要参数包括最大时钟频率 117 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 TQFP-100 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM