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来源：第三方数据源非原厂公告

4 个原型号
原型号

71V3556SA166BQGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3556SA100BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3556SA100BQGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3556SA166BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

IDT71V3556S166BQGI8

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3556SA166BQGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

IDT71V3557SA75BQG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3556SA166BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

71V3556SA166BQGI

IDT

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 CABGA-165 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V3556SA166BQGI

Renesas Electronics

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 CABGA-165 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V3556SA166BQGI8

IDT

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 CABGA-165 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V3556SA166BQGI8

Renesas Electronics

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 CABGA-165 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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