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原厂资料

6 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V256S12YGRenesas
  • 71V256SA12PZG
2022-02-28查看资料
71V256SA12YGRenesas
  • 71V256SA12PZG
2022-02-28查看资料
71V256S12YG8Renesas
  • 71V256SA12PZG8
2022-02-28查看资料
71V256SA12YG8Renesas
  • 71V256SA12PZG8
2022-02-28查看资料
71V256SA12YGIRenesas
  • 71V256SA12PZGI
2022-02-28查看资料
71V256SA12YGI8Renesas
  • 71V256SA12PZGI8
2022-02-28查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

71V256SA12PZG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 17 条候选
  • IS61C256AL-12TLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

AS7C3256A-15TCN

Alliance Memory, Inc.

查看详情 · 38 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 71V256SA12PZGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

AS7C3256A-15TCNTR

Alliance Memory, Inc.

查看详情 · 17 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 71V256SA12PZG8Renesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

71V256SA12PZG

IDT

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-28 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V256SA12PZG8

IDT

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-28 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V256SA12PZGI

IDT

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-28 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
查看技术资料

71V256SA12PZGI8

IDT

主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-28 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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