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1 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V016SA20BFI8Renesas
  • 71V016SA20BFGI8
2023-12-05查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

71V016SA12BFG8

Renesas Electronics Corporation

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 71V016SA20BFGI8Renesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

1 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

71V016SA20BFGI8

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 CABGA-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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