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原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V016SA10BFRenesas
  • 71V016SA10BFG
2023-12-05查看资料
71V016SA10BF8Renesas
  • 71V016SA10BFG8
2023-12-05查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

71V016SA10BF

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 10 条候选
  • 71V016SA10BFGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

IS64WV6416BLL-15BLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 71V016SA10BFGI8Renesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

6 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

71V016SA10BF

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V016SA10BF8

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V016SA10BFG

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V016SA10BFG8

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V016SA10BFGI

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V016SA10BFGI8

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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