原型号
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Renesas Electronics Corporation
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- 71421LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
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候选型号候选品牌关系类型
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
71421LA25PFGI
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-64 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71421LA25PFGI
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-64 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71421LA25PFGI8
IDT
主要参数包括高度 1.4 mm、长度 14 mm、宽度 14 mm、湿敏性 是、型号别名 71421 IDT71421LA25PFGI8，采用 TQFP-64 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71421LA25PFGI8
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 IDT71421LA25PFGI8 71421，采用 TQFP-64 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM