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原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71421LA20JGRenesas
  • 71421LA20PFG
2022-02-28查看资料
71421LA20JG8Renesas
  • 71421LA20PFG8
2022-02-28查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

71421LA20JG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 7 条候选
  • 71421LA20PFGRenesas Electronics Corporation第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

71421LA20JG

IDT

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 PLCC-52 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71421LA20JG8

IDT

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 PLCC-52 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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