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来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

7130LA25JGI8

Renesas Electronics Corporation

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  • 71342LA25PFGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

71342SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

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  • 71342LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

71342LA25PFGI

IDT

主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 4 k x 8，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO
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71342LA25PFGI

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 4 k x 8，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO
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71342LA25PFGI8

IDT

主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 4 k x 8，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO
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71342LA25PFGI8

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、定时类型 Asynchronous、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 4 k x 8，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > FIFO
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