原型号
查看详情 · 1 条候选7130LA20PF8
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 7130LA20PFG8Renesas Electronics Corporation直接替代候选
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IDT
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 TQFP-64 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMRenesas Electronics
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 TQFP-64 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM