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来源：第三方数据源非原厂公告

2 个原型号
原型号

7130LA20PF8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA20PFG8Renesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

7130SA20PF8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

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  • 7130LA20PFG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

7130LA20PFG

IDT

主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7130LA20PFG

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7130LA20PFG8

IDT

主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7130LA20PFG8

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TQFP-64 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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