原型号
查看详情 · 9 条候选AS7C256A-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 71256L25YGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 46 条候选AS7C3256A-15JCNTR
Alliance Memory, Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
候选型号候选品牌关系类型
- 71256L25YGRenesas Electronics Corporation相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
71256L25YG
IDT
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOJ-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71256L25YG8
IDT
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOJ-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71256L25YGI
IDT
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOJ-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71256L25YGI8
IDT
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOJ-28 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM