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Renesas Electronics Corporation
- AS7C1024B-12JCNTRAlliance Memory, Inc.相似型号
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71124S12YG8
IDT
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 SOJ-32 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM