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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
71016S15YGI8	Renesas	71016S15PHGI8	2022-02-28	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

4 个原型号

原型号

Renesas Electronics Corporation

原型号

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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原型号

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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原型号

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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技术资料参考

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

Renesas Electronics

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SRAM、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM