原型号
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Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Alliance Memory, Inc.
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原型号
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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原型号
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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原型号
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
71016S15PHG
IDT
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71016S15PHG
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71016S15PHG8
IDT
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71016S15PHG8
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71016S15PHGI
IDT
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71016S15PHGI
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SRAM、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71016S15PHGI8
IDT
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71016S15PHGI8
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SRAM、类型 Asynchronous，采用 TSOP-44 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM