70V7339S166BCGI
IDT
主要参数包括存储容量 9 Mbit、电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Synchronous,采用 CABGA-256 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM技术资料参考
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IDT
主要参数包括存储容量 9 Mbit、电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Synchronous,采用 CABGA-256 封装。
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