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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

1 个原型号

原型号

Renesas Electronics Corporation

技术资料参考

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

IDT

主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.45 V、电源电压（最小值） 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CABGA-208 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

IDT

主要参数包括高度 1.4 mm、长度 15 mm、宽度 15 mm、湿敏性是、型号别名 70V657 IDT70V657S15BF8，采用 CABGA-208 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM