70V657S12BFGIIDT主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 CABGA-208 封装。半导体 > Memory ICs > SRAM查看技术资料
70V657S12BFGI8IDT主要参数包括高度 1.4 mm、长度 15 mm、宽度 15 mm、湿敏性 是、型号别名 70V657 IDT70V657S12BFGI8,采用 CABGA-208 封装。半导体 > Memory ICs > SRAM查看技术资料